От доста време, високият клас смартфони на Samsung, се предлагат с два различни чипсета, според региона за който са предназначени. Все пак, представянето на двете версии е много сходно, като целта разбира се, е да се предложи еднакво потребителско изживяване сред клиентите. Сега, в мрежата се появи информация за това, колко точно мощен ще е следващия Galaxy S8.
Очаква се, повечето флагмени през 2017 година, да използват новия Snapdragon 835 чипсет на Qualcomm. Samsung също ще се възползват от него, но заедно с това ще имат и версия с техен Exynos чипсет. Qualcomm представиха официално Snapdragon 835, но обещаха детайли за него на CES 2017. И докато очакваме детайлите, PhoneArena показаха няколко слайда от презентацията на компанията, изтекли във Weibo.
Съдейки по слайдовете, Snapdragon 835 ще бъде изграден по 10nm технологичен процес, ще бъде по-енергоефективен и ще бъде с 27% по-мощен от миналогодишния Snapdragon 820. Става въпрос за осем процесорни ядра, състоящ се от два клъстера с по четири процесорни ядра. По-мощните процесорни ядра, ще се използват в едва 20% от времето, за да предоставят максимално добро изживяване на клиентите (зареждане на приложения, уеб сърфиране и VR), а по-слабата четворка ядра ще работят в 80% от времето, за да пестят енергия.
Слайдовете разкриват и Adreno 540 графичен ускорител, поддържащ 60 пъти повече цветове и с 25% по-бърз обработка на графиката. Поддържат се и 10-битов, 4К @60fps видео възпроизвеждане, OpenGL ES, Vulkan и DirectX 12 графика.
Новост в Snapdragon 835 е и поддръжката на Quick Charge 4.0, която ще зарежда батерията на смартфона с 20% по-бързо от Quick Charge 3.0. Иначе казано, за 15 минути зареждане, батерията ще се зарежда до 50%.
